Toshiba Semiconductor and Storage - TK7E80W,S1X

KEY Part #: K6398376

TK7E80W,S1X ფასები (აშშ დოლარი) [32472ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.39702
  • 50 pcs$1.06933
  • 100 pcs$0.96238
  • 500 pcs$0.74851
  • 1,000 pcs$0.62019

Ნაწილი ნომერი:
TK7E80W,S1X
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W,S1X electronic components. TK7E80W,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK7E80W,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7E80W,S1X პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TK7E80W,S1X
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
სერიები : DTMOSIV
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 280µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 700pF @ 300V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 110W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.

  • IRFIB5N65APBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP.