Rohm Semiconductor - RSD221N06TL

KEY Part #: K6420249

RSD221N06TL ფასები (აშშ დოლარი) [173959ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.21262
  • 2,500 pcs$0.19490

Ნაწილი ნომერი:
RSD221N06TL
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RSD221N06TL electronic components. RSD221N06TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSD221N06TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RSD221N06TL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RSD221N06TL
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1500pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 850mW (Ta), 20W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : CPT3
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ