Ნაწილი ნომერი :
SSM6K204FE,LF
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET N-CH 30V ES6
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
2A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
126 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
3.4nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
195pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
500mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
ES6
პაკეტი / საქმე :
SOT-563, SOT-666