STMicroelectronics - STB11NM60T4

KEY Part #: K6417922

STB11NM60T4 ფასები (აშშ დოლარი) [46250ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.84963
  • 1,000 pcs$0.84541

Ნაწილი ნომერი:
STB11NM60T4
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STB11NM60T4 electronic components. STB11NM60T4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB11NM60T4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB11NM60T4 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STB11NM60T4
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
სერიები : MDmesh™
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1000pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 160W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.