Infineon Technologies - IPSA70R750P7SAKMA1

KEY Part #: K6401965

IPSA70R750P7SAKMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [112675ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.32826

Ნაწილი ნომერი:
IPSA70R750P7SAKMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPSA70R750P7SAKMA1 electronic components. IPSA70R750P7SAKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPSA70R750P7SAKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPSA70R750P7SAKMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPSA70R750P7SAKMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
სერიები : CoolMOS™ P7
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 700V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 70µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 8.3nC @ 400V
Vgs (მაქს) : ±16V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 306pF @ 400V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 34.7W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO251-3
პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • BS270-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • BS170-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR7807ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 43A DPAK.