Diodes Incorporated - BS107PSTZ

KEY Part #: K6402059

BS107PSTZ ფასები (აშშ დოლარი) [254929ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.14509

Ნაწილი ნომერი:
BS107PSTZ
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated BS107PSTZ electronic components. BS107PSTZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BS107PSTZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BS107PSTZ პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BS107PSTZ
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 120mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.6V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 85pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 500mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : E-Line (TO-92 compatible)
პაკეტი / საქმე : E-Line-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.