Ნაწილი ნომერი :
SI7485DP-T1-E3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
12.5A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.3 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
150nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
-
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.8W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® SO-8