Infineon Technologies - IRFSL4127PBF

KEY Part #: K6417503

IRFSL4127PBF ფასები (აშშ დოლარი) [32891ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.25304
  • 1,000 pcs$1.20289

Ნაწილი ნომერი:
IRFSL4127PBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 200V 72A TO-262.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRFSL4127PBF electronic components. IRFSL4127PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFSL4127PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFSL4127PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFSL4127PBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 200V 72A TO-262
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 72A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (მაქს) : -
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5380pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 375W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-262
პაკეტი / საქმე : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ