Vishay Siliconix - SI2343DS-T1-E3

KEY Part #: K6417537

SI2343DS-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [391925ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.09437
  • 3,000 pcs$0.08025

Ნაწილი ნომერი:
SI2343DS-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI2343DS-T1-E3 electronic components. SI2343DS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2343DS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2343DS-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI2343DS-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 540pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 750mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3 (TO-236)
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ