Ნაწილი ნომერი :
FDMS4D0N12C
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
PTNG 120V N-FET PQFN56
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
120V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
18.5A (Ta), 114A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 370A
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
82nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
6460pF @ 60V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.7W (Ta), 106W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-PQFN (5x6)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerTDFN