IXYS - IXTY12N06T

KEY Part #: K6407726

[874ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IXTY12N06T
    მწარმოებელი:
    IXYS
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 60V 12A TO-252.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დიოდები - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in IXYS IXTY12N06T electronic components. IXTY12N06T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY12N06T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTY12N06T პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IXTY12N06T
    მწარმოებელი : IXYS
    აღწერა : MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
    სერიები : TrenchMV™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 25µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 3.4nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 256pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 33W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6006-H(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • FDD45AN06LA0

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 25A DPAK.

    • FDD6782A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 20A DPAK.