Infineon Technologies - IRF1902PBF

KEY Part #: K6412240

[13514ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRF1902PBF
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IRF1902PBF electronic components. IRF1902PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF1902PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF1902PBF პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRF1902PBF
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
    სერიები : HEXFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.7V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
    Vgs (მაქს) : ±12V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 310pF @ 15V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
    პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRFR3412PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.

    • IRFR15N20DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.

    • IRFR3505PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

    • IRFR3411PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.

    • IRLR3915PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

    • IRFR24N15DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 24A DPAK.