Infineon Technologies - IPB65R125C7ATMA2

KEY Part #: K6417659

IPB65R125C7ATMA2 ფასები (აშშ დოლარი) [37960ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.03001

Ნაწილი ნომერი:
IPB65R125C7ATMA2
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPB65R125C7ATMA2 electronic components. IPB65R125C7ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB65R125C7ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB65R125C7ATMA2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPB65R125C7ATMA2
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH TO263-3
სერიები : CoolMOS™ C7
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 440µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1670pF @ 400V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 101W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO263-3
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ