Infineon Technologies - IPD60R950C6

KEY Part #: K6406795

[1195ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IPD60R950C6
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IPD60R950C6 electronic components. IPD60R950C6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R950C6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD60R950C6 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IPD60R950C6
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
    სერიები : CoolMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.4A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 1.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 130µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 13nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 280pF @ 100V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 37W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO252-3
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • TK40P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TK40P03M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

    • IRLR8256PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

    • IRLR8259PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

    • NDF08N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

    • NDF05N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V TO-220FP.