მწარმოებელი :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
აღწერა :
MOSFET N-CH 20V 9A 8DFN
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta), 23A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
15nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
630pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.1W (Ta), 16.7W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-DFN (3x3)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerVDFN