Vishay Siliconix - SI4511DY-T1-E3

KEY Part #: K6522998

[4690ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SI4511DY-T1-E3
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4511DY-T1-E3 electronic components. SI4511DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4511DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4511DY-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SI4511DY-T1-E3
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
    სერიები : TrenchFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N and P-Channel
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7.2A, 4.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    ძალა - მაქსიმუმი : 1.1W
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRF5810TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

    • FDY2000PZ

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

    • DMN2040LTS-13

      Diodes Incorporated

      MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

    • DMN2019UTS-13

      Diodes Incorporated

      MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

    • DMG8822UTS-13

      Diodes Incorporated

      MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

    • AO8801AL

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.