Ნაწილი ნომერი :
SI4511DY-T1-E3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
FET ტიპი :
N and P-Channel
FET თვისება :
Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
-
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SO