Vishay Siliconix - SI4158DY-T1-GE3

KEY Part #: K6406147

SI4158DY-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [1420ცალი საფონდო]

  • 2,500 pcs$0.28626

Ნაწილი ნომერი:
SI4158DY-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI4158DY-T1-GE3 electronic components. SI4158DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4158DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4158DY-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI4158DY-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 36.5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 132nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±16V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5710pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3W (Ta), 6W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IXTY01N100D

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA.

  • AUIRLR3705Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • AUIRLR3410

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • AUIRLR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • AUIRLR2703

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 20A DPAK.

  • AUIRLR2905

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.