IXYS - IXTY01N100D

KEY Part #: K6406084

IXTY01N100D ფასები (აშშ დოლარი) [37709ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.20311
  • 10 pcs$1.03020
  • 100 pcs$0.82784
  • 500 pcs$0.64387
  • 1,000 pcs$0.53350

Ნაწილი ნომერი:
IXTY01N100D
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTY01N100D electronic components. IXTY01N100D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY01N100D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY01N100D პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTY01N100D
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1000V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100mA (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 120pF @ 25V
FET თვისება : Depletion Mode
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.1W (Ta), 25W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252, (D-Pak)
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ