Vishay Siliconix - SI1471DH-T1-E3

KEY Part #: K6405993

SI1471DH-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [1473ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.09710

Ნაწილი ნომერი:
SI1471DH-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI1471DH-T1-E3 electronic components. SI1471DH-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1471DH-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1471DH-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI1471DH-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 9.8nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±12V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 445pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-70-6 (SOT-363)
პაკეტი / საქმე : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ