Rohm Semiconductor - RS1E300GNTB

KEY Part #: K6420703

RS1E300GNTB ფასები (აშშ დოლარი) [235214ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.17384
  • 2,500 pcs$0.17298

Ნაწილი ნომერი:
RS1E300GNTB
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - სკკ, ტირისტორები - TRIACs, დენის მართვის მოდული and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RS1E300GNTB electronic components. RS1E300GNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1E300GNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1E300GNTB პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RS1E300GNTB
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 39.8nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2500pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3W (Ta), 33W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-HSOP
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ