Infineon Technologies - IRFR5505TRLPBF

KEY Part #: K6420606

IRFR5505TRLPBF ფასები (აშშ დოლარი) [217820ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.16981
  • 3,000 pcs$0.14004

Ნაწილი ნომერი:
IRFR5505TRLPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - RF and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRFR5505TRLPBF electronic components. IRFR5505TRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR5505TRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR5505TRLPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFR5505TRLPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 650pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 57W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ