Infineon Technologies - IRFR540ZTRPBF

KEY Part #: K6420521

IRFR540ZTRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [204556ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.18363
  • 2,000 pcs$0.18272

Ნაწილი ნომერი:
IRFR540ZTRPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRFR540ZTRPBF electronic components. IRFR540ZTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR540ZTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR540ZTRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFR540ZTRPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1690pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 91W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ