Ნაწილი ნომერი :
NTD60N02RT4G
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
8.5A (Ta), 32A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
14nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1330pF @ 20V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.25W (Ta), 58W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DPAK
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63