ON Semiconductor - FQD5N60CTM-WS

KEY Part #: K6420472

FQD5N60CTM-WS ფასები (აშშ დოლარი) [197168ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.18759

Ნაწილი ნომერი:
FQD5N60CTM-WS
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 2.8A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FQD5N60CTM-WS electronic components. FQD5N60CTM-WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD5N60CTM-WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD5N60CTM-WS პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FQD5N60CTM-WS
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 2.8A
სერიები : QFET®
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 670pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta), 49W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ