Infineon Technologies - IPB60R330P6ATMA1

KEY Part #: K6401865

IPB60R330P6ATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [2902ცალი საფონდო]

  • 1,000 pcs$0.40485

Ნაწილი ნომერი:
IPB60R330P6ATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPB60R330P6ATMA1 electronic components. IPB60R330P6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R330P6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R330P6ATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPB60R330P6ATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH TO263-3
სერიები : CoolMOS™ P6
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 370µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1010pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 93W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D²PAK (TO-263AB)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.

  • PMN27XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP.