Vishay Siliconix - SI4438DY-T1-GE3

KEY Part #: K6412811

[13316ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SI4438DY-T1-GE3
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4438DY-T1-GE3 electronic components. SI4438DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4438DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4438DY-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SI4438DY-T1-GE3
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
    სერიები : TrenchFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 126nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4645pF @ 15V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
    პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRF5804TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • 2N7008

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

    • BS108ZL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

    • IRLR4343TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

    • IRLR4343TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

    • NP20P04SLG-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET P-CH 40V 20A TO-252.