Nexperia USA Inc. - PMN27XPEAX

KEY Part #: K6401797

PMN27XPEAX ფასები (აშშ დოლარი) [2926ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.06608

Ნაწილი ნომერი:
PMN27XPEAX
მწარმოებელი:
Nexperia USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMN27XPEAX electronic components. PMN27XPEAX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMN27XPEAX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMN27XPEAX პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : PMN27XPEAX
მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
აღწერა : MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.4A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.25V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 22.5nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±12V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1770pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-TSOP
პაკეტი / საქმე : SC-74, SOT-457

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN4310A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3.

  • VN0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

  • TN5325N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • SI1471DH-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.