მწარმოებელი :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
აღწერა :
MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
20A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
30nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2180pF @ 6V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-DFN (2x2)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerWDFN