Ნაწილი ნომერი :
TK10A60W5,S5VX
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
9.7A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 500µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
25nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
720pF @ 300V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
30W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220SIS
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3 Full Pack