Rohm Semiconductor - RRH090P03TB1

KEY Part #: K6420178

RRH090P03TB1 ფასები (აშშ დოლარი) [167001ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.24485
  • 2,500 pcs$0.24363

Ნაწილი ნომერი:
RRH090P03TB1
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RRH090P03TB1 electronic components. RRH090P03TB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RRH090P03TB1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RRH090P03TB1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RRH090P03TB1
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.4 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 30nC @ 5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3000pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 650mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SOP
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ