ON Semiconductor - FDMC8360LET40

KEY Part #: K6394122

FDMC8360LET40 ფასები (აშშ დოლარი) [118199ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.31449
  • 3,000 pcs$0.31292

Ნაწილი ნომერი:
FDMC8360LET40
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
PT8 N-CH 40/20V POWER TRENCH MOS.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDMC8360LET40 electronic components. FDMC8360LET40 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMC8360LET40, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMC8360LET40 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDMC8360LET40
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : PT8 N-CH 40/20V POWER TRENCH MOS
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta), 141A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5300pF @ 20V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.8W (Ta), 75W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Power33
პაკეტი / საქმე : 8-PowerWDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • SIE802DF-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK.