Ნაწილი ნომერი :
IRFH8311TRPBF
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
32A (Ta), 169A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
66nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4960pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.6W (Ta), 96W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PQFN (5x6)
პაკეტი / საქმე :
8-TQFN Exposed Pad