Infineon Technologies - IRFH8311TRPBF

KEY Part #: K6416001

IRFH8311TRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [177240ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.20869
  • 4,000 pcs$0.17833

Ნაწილი ნომერი:
IRFH8311TRPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - JFET and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRFH8311TRPBF electronic components. IRFH8311TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH8311TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH8311TRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFH8311TRPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 32A (Ta), 169A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4960pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.6W (Ta), 96W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PQFN (5x6)
პაკეტი / საქმე : 8-TQFN Exposed Pad

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.