Ნაწილი ნომერი :
HUFA76619D3ST
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
29nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
767pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
75W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-252AA
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63