Diodes Incorporated - DMT6012LPS-13

KEY Part #: K6412169

[13538ცალი საფონდო]

Ნაწილი ნომერი:: DMT6012LPS-13

მწარმოებელი:: Diodes Incorporated

Დეტალური აღწერა:: MOSFET N-CH 60V POWERDI.

Manufacturer's standard lead time:: Საწყობში

შენახვის ვადა:: Ერთი წელი

ჩიპი From:: ჰონგ კონგი

RoHS:

Გადახდის საშუალება:

გადაზიდვის გზა:

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Diodes Incorporated DMT6012LPS-13 electronic components. DMT6012LPS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6012LPS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

DMT6012LPS-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMT6012LPS-13

მწარმოებელი : Diodes Incorporated

აღწერა : MOSFET N-CH 60V POWERDI

სერიები : *

ნაწილის სტატუსი : Active

FET ტიპი : -

ტექნოლოგია : -

გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : -

მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : -

წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -

Vgs (მაქს) : -

შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -

FET თვისება : -

დენის დაშლა (მაქსიმალური) : -

ოპერაციული ტემპერატურა : -

სამონტაჟო ტიპი : -

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

პაკეტი / საქმე : -

Უახლესი ცნობები

Diodes Incorporated PI3A6386 USB Switch

Diodes Incorporated AH356xQ Automotive Hall Effect Switches

Diodes Incorporated AEC-Q100 Qualified Linear LED Controllers

Diodes Incorporated Automotive Super Barrier Rectifiers

Diodes Incorporated DXTN07x Bipolar Junction Transistors (BJTs)

Diodes Incorporated SMxJ Automotive TVS Diodes

Diodes Incorporated AL177x Linear LED Drivers

Diodes Incorporated Connected Driving Applications

Diodes Incorporated AP7370 Ultra-Low Drop-Out (ULDO) Regulators

Diodes Incorporated AL3353 High Performance Boost LED Controller

Diodes Incorporated Automotive Brushless DC (BLDC) Motor Applications

Diodes Incorporated DGD0227 Low Side Gate Drivers

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

2N7000,126

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92.
IRFR3412PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.
IRFR15N20DPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.
IRFR3505PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.
IRFR3411PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.
IRLR3915PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

ცხელი ნაწილები

English საქართველო