Vishay Siliconix - IRFBE30PBF

KEY Part #: K6408578

IRFBE30PBF ფასები (აშშ დოლარი) [47959ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.73167
  • 10 pcs$0.66185
  • 100 pcs$0.53191
  • 500 pcs$0.41369
  • 1,000 pcs$0.32424

Ნაწილი ნომერი:
IRFBE30PBF
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix IRFBE30PBF electronic components. IRFBE30PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBE30PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBE30PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFBE30PBF
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.1A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1300pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ