Vishay Siliconix - SQM30010EL_GE3

KEY Part #: K6418157

SQM30010EL_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [53470ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.73126

Ნაწილი ნომერი:
SQM30010EL_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V D2PAK TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQM30010EL_GE3 electronic components. SQM30010EL_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM30010EL_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM30010EL_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQM30010EL_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 30V D2PAK TO-263
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.35 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 450nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 28000pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 375W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263 (D²Pak)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ