Microsemi Corporation - APT58M50JU3

KEY Part #: K6396568

APT58M50JU3 ფასები (აშშ დოლარი) [3890ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$11.18830
  • 100 pcs$11.13264

Ნაწილი ნომერი:
APT58M50JU3
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT58M50JU3 electronic components. APT58M50JU3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT58M50JU3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT58M50JU3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT58M50JU3
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
სერიები : POWER MOS 8™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 58A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 340nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 10800pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 543W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.