Ნაწილი ნომერი :
SIDR140DP-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC
სერიები :
TrenchFET® Gen IV
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
79A (Ta), 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.67 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
170nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
8150pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
6.25W (Ta), 125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® SO-8DC
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® SO-8