Diodes Incorporated - DMN1014UFDF-13

KEY Part #: K6395978

DMN1014UFDF-13 ფასები (აშშ დოლარი) [868915ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04257

Ნაწილი ნომერი:
DMN1014UFDF-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN1014UFDF-13 electronic components. DMN1014UFDF-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1014UFDF-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN1014UFDF-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN1014UFDF-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 6.4nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 515pF @ 6V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 700mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : U-DFN2020-6
პაკეტი / საქმე : 6-UDFN Exposed Pad

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ