Ნაწილი ნომერი :
IRFR220PBF
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
4.8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
14nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
260pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.5W (Ta), 42W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
D-Pak
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63