Infineon Technologies - IPN80R4K5P7ATMA1

KEY Part #: K6420994

IPN80R4K5P7ATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [315810ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.11712
  • 3,000 pcs$0.10472

Ნაწილი ნომერი:
IPN80R4K5P7ATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPN80R4K5P7ATMA1 electronic components. IPN80R4K5P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN80R4K5P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN80R4K5P7ATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPN80R4K5P7ATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
სერიები : CoolMOS™ P7
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 20µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 4nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 80pF @ 500V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 6W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-SOT223
პაკეტი / საქმე : TO-261-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ