Ნაწილი ნომერი :
IRF614SPBF
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
250V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
2.7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
140pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.1W (Ta), 36W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
D2PAK
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB