Ნაწილი ნომერი :
FDMS6681Z
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
21.1A (Ta), 49A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 22.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
241nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
10380pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.5W (Ta), 73W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-PQFN (5x6)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerTDFN