თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4F8E3S4HD-GHCL

Samsung Semiconductor - K4F8E3S4HD-GHCL

KEY Part #: K7359772

[23654ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4F8E3S4HD-GHCL
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: SLC Nand, DDR4, MODULE, LPDDR4, DDR3, GDDR6, GDDR5 and LPDDR5 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4F8E3S4HD-GHCL electronic components. K4F8E3S4HD-GHCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4F8E3S4HD-GHCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4F8E3S4HD-GHCL პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4F8E3S4HD-GHCL
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 8 Gb
    Org. : x32
    სიჩქარე : 4266 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    Ტემპი. : -40 ~ 105 °C
    პაკეტი : 200FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    How Will 5G Impact on Memory?
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    ცხელი ნაწილები