თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4F8E3S4HB-MHCJ

Samsung Semiconductor - K4F8E3S4HB-MHCJ

KEY Part #: K7359770

[16747ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4F8E3S4HB-MHCJ
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: SLC Nand, LPDDR4X, MODULE, LPDDR5, GDDR6, LPDDR3, GDDR5 and HBM Flarebolt ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4F8E3S4HB-MHCJ electronic components. K4F8E3S4HB-MHCJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4F8E3S4HB-MHCJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4F8E3S4HB-MHCJ პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4F8E3S4HB-MHCJ
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 8 Gb
    Org. : x32
    სიჩქარე : 3733 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    Ტემპი. : -40 ~ 105 °C
    პაკეტი : 200FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Samsung Z-SSD SZ985
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    How Will 5G Impact on Memory?
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    ცხელი ნაწილები