თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4F2E3S4HA-GFCL

Samsung Semiconductor - K4F2E3S4HA-GFCL

KEY Part #: K7359756

[16372ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4F2E3S4HA-GFCL
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: DDR3, GDDR5, SLC Nand, LPDDR4, HBM Aquabolt, HBM Flarebolt, DDR4 and LPDDR5 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4F2E3S4HA-GFCL electronic components. K4F2E3S4HA-GFCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4F2E3S4HA-GFCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4F2E3S4HA-GFCL პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4F2E3S4HA-GFCL
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 12 Gb
    Org. : x32
    სიჩქარე : 4266 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    Ტემპი. : -40 ~ 95 °C
    პაკეტი : 200FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    ცხელი ნაწილები