Infineon Technologies - BSC12DN20NS3GATMA1

KEY Part #: K6420302

BSC12DN20NS3GATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [179561ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.20599

Ნაწილი ნომერი:
BSC12DN20NS3GATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BSC12DN20NS3GATMA1 electronic components. BSC12DN20NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC12DN20NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC12DN20NS3GATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSC12DN20NS3GATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 11.3A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 25µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 8.7nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 680pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 50W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TDSON-8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ