Ნაწილი ნომერი :
STB80NF55-06-1
მწარმოებელი :
STMicroelectronics
აღწერა :
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
189nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4400pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
I2PAK
პაკეტი / საქმე :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA