Comchip Technology - 1N4001-G

KEY Part #: K6456076

1N4001-G ფასები (აშშ დოლარი) [5808784ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.00672
  • 5,000 pcs$0.00669
  • 10,000 pcs$0.00581
  • 25,000 pcs$0.00523
  • 50,000 pcs$0.00465
  • 125,000 pcs$0.00388

Ნაწილი ნომერი:
1N4001-G
მწარმოებელი:
Comchip Technology
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41. Rectifiers VR=50V, IO=1A
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - RF and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Comchip Technology 1N4001-G electronic components. 1N4001-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4001-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4001-G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N4001-G
მწარმოებელი : Comchip Technology
აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 1A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-41
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • S07J-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 600 Volt 1.8uS

  • SS1FH10HM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified

  • BAW76-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 35 Volt 300mA 2ns

  • BAT85S-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 200mA 30 Volt 5.0 Amp IFSM

  • SD103A-TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 20mA 40 Volt

  • FESB16ATHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 50 Volt 35ns 250 Amp IFSM