ES2FHE3_A/I ფასები (აშშ დოლარი) [445255ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.08307
- 3,200 pcs$0.07595
- Ნაწილი ნომერი:
- ES2FHE3_A/I
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები and დენის მართვის მოდული ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2FHE3_A/I electronic components. ES2FHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2FHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES2FHE3_A/I პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
ES2FHE3_A/I
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
300V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
2A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 2A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-214AA, SMB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-214AA (SMB)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt
-
ESH2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD
-
UH2CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD
-
UH2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD
-
ES2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt
-
ES2FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
ცხელი ნაწილები
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97
选择你的位置